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    王 曦 博 士

    中國科學院院士 02專項總體專家組副組長 中科院上海微系統與信息技術研究所所長
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    男,中國科學院院士,博士生導師,中科院上海微系統與信息技術研究所所長,SOI方向學術帶頭人。1987年畢業于清華大學,1993年在中科院上海冶金研究所獲博士學位。1994年赴澳大利亞聯邦科學與工業研究院工作,1996年作為“洪堡”學者在德國羅森多夫研究中心工作兩年。1998年回國在中國科學院上海微系統與信息技術研究所晉升研究員、博士生導師,歷任實驗室主任、所長助理、副所長、黨委副書記、黨委書記、所長。長期致力于載能粒子束與固體相互作用物理現象的研究,揭示了載能離子作用下薄膜表面微結構、相組分、電子學等特性,實現了載能離子束薄膜生長的可控制性,并將研究成果應用于先進電子材料絕緣體上的硅(Silicon-on-insulator, SOI)的開發。帶領團隊深入研究SOI離子注入合成過程中的物理和化學過程,發展出具有自主知識產權SOI規?;a關鍵技術,創辦了上海新傲科技股份有限公司-我國新一代硅基集成電路材料SOI生產基地,成為全球少數幾家可提供商用SOI晶圓的企業之一。除SOI材料之外,還從事下一代硅基高遷移率材料應變硅,硅與化合物半導體融合技術,硅基GaN微電子和光電子應用,以及離子注入、材料鍵合等集成電路工藝開發。在國內外主要學術刊物和會議上發表論文300余篇,申請國家發明專利45件,其中授權22件。作為第一完成人分別獲2005年上海市科技進步一等獎、2006年度國家科技進步一等獎、2007年度中國科學院杰出科技成就獎,以及2008年度何梁何利基金科學與技術進步獎。培養研究生近30名,其中1人獲中科院院長獎學金特別獎。目前兼任國家中長期科技規劃《極大規模集成電路制造裝備及成套工藝》重大專項總體專家組副組長。被聘為國際波姆(Bohmische)物理學會科學成員、離子束材料表面改性序列國際會議國際委員會委員。

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